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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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13N50H-VB TO263一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 13N50H-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
13N50H-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)、30V的柵極-源極電壓(VGS)、3.5V的閾值電壓(Vth)、420mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),以及11A的漏極電流(ID)。適用于高壓高功率電路設(shè)計(jì)。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào):** 13N50H-VB
- **封裝:** TO263
- **構(gòu)型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 420mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 11A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源開關(guān):** 由于13N50H-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于高壓高功率電源開關(guān),如電源逆變器、開關(guān)電源等。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān),提供可靠的電源控制和驅(qū)動(dòng)功能。
3. **電源逆變器:** 適用于電源逆變器中的高壓開關(guān),用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,如太陽(yáng)能逆變器、UPS逆變器等。
4. **工業(yè)電子:** 在工業(yè)控制領(lǐng)域,可用于高壓高功率電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,提供高效、可靠的電源控制和驅(qū)動(dòng)功能。
5. **汽車電子:** 在汽車電子領(lǐng)域,可用于汽車電子控制單元(ECU)中的電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,提供可靠的電源控制和驅(qū)動(dòng)功能。

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