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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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155N3H6-VB一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 155N3H6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 155N3H6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào)**: 155N3H6-VB

**封裝形式**: TO252

**配置**: 單N溝道

**主要參數(shù)**:
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

**電特性**:
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A

**溫度范圍**:
- **工作溫度**: -55°C 至 +150°C
- **存儲(chǔ)溫度**: -55°C 至 +150°C

**封裝形式**:
- **封裝類(lèi)型**: TO252

**技術(shù)**:
- **制造工藝**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理模塊**: 
  - 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,確保高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 在電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)中,用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。
3. **計(jì)算機(jī)和服務(wù)器**:
  - 應(yīng)用于主板和顯卡的供電模塊,提供穩(wěn)定的電流供應(yīng)。
4. **消費(fèi)電子**:
  - 在智能手機(jī)和平板電腦中,用于電源管理和充電控制。
5. **工業(yè)控制**:
  - 用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的控制模塊,確保可靠的操作和長(zhǎng)時(shí)間的工作壽命。
6. **汽車(chē)電子**:
  - 應(yīng)用于汽車(chē)的各種電子控制單元,如發(fā)動(dòng)機(jī)控制、車(chē)身控制和娛樂(lè)系統(tǒng)。

155N3H6-VB MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。其Trench技術(shù)確保了優(yōu)良的導(dǎo)通性能和開(kāi)關(guān)速度,滿(mǎn)足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)低功耗和高性能的需求。

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