### 產(chǎn)品簡介

VBsemi 16CN10N-VB TO252 是一款高效能的單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），采用先進的溝槽技術(shù)設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適用于各種高性能應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 16CN10N-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 8.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: 溝槽型

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

#### 電源管理
16CN10N-VB TO252 適用于開關(guān)電源（SMPS）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。這些應(yīng)用場景需要高效率和低導(dǎo)通損耗的特性來提高系統(tǒng)性能和降低能耗。

#### 汽車電子
該型號MOSFET在汽車電子領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用，例如用于電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）、電機控制、燈光系統(tǒng)和電池管理。這些系統(tǒng)要求高電流處理能力和可靠的性能，以確保車輛的安全和穩(wěn)定運行。

#### 工業(yè)控制
在工業(yè)控制系統(tǒng)中，16CN10N-VB TO252 可用于電機驅(qū)動器、繼電器、變頻器和機器人控制等。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效提高設(shè)備的響應(yīng)速度和控制精度，確保系統(tǒng)的高效運行。

#### 消費電子
該MOSFET還可應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品中，如計算機、智能家電和便攜式設(shè)備的電源管理模塊。其小封裝和高性能特點使其成為緊湊型設(shè)計的理想選擇，有助于延長設(shè)備的電池壽命并提高整體性能。

總之，VBsemi 16CN10N-VB TO252 MOSFET 憑借其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，是各種高性能電力電子應(yīng)用的理想選擇。