### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi的16CN10N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了槽道（Trench）技術(shù)，能夠在各種應(yīng)用中提供高性能。它具有低導(dǎo)通電阻和高承載能力，適用于要求高效能和可靠性的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明：
- **封裝：** TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 100V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±20V
- **Vth（門閾電壓）：** 2.5V
- **RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：**
- @ VGS=4.5V: 23mΩ
- @ VGS=10V: 10mΩ
- **ID（漏極電流）：** 100A
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例：
1. **電源管理模塊：** 由于16CN10N-VB具有較低的導(dǎo)通電阻和高的漏極電流承載能力，適用于高效率的電源管理模塊，如電源適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **電機驅(qū)動器：** 在電機驅(qū)動器中，這款MOSFET可以用于控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié)，其高漏極電流承載能力使其適用于要求高性能的電機應(yīng)用。
3. **電源開關(guān)：** 16CN10N-VB可用作高性能的電源開關(guān)，用于各種應(yīng)用，如電動工具、家用電器等，其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供更高的效率和可靠性。
這些領(lǐng)域和模塊只是該產(chǎn)品可能應(yīng)用的幾個例子，實際應(yīng)用取決于具體設(shè)計和要求。
