### 16N50C3-VB TO220F 產(chǎn)品簡介

VBsemi的16N50C3-VB TO220F是一款高性能單N溝道MOSFET，采用Plannar技術(shù)，具有較高的漏源電壓和較低的導通電阻。這款MOSFET適用于高壓高功率的電源管理和開關(guān)應用。

### 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明

- **型號**：16N50C3-VB TO220F
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：550V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：260mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：18A
- **技術(shù)**：Plannar

### 應用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**：
  16N50C3-VB TO220F適用于電源逆變器中的高壓開關(guān)模塊。其高漏源電壓和較低的導通電阻能夠確保在高功率轉(zhuǎn)換過程中保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

2. **工業(yè)高壓電源**：
  在工業(yè)設備和高壓電源系統(tǒng)中，16N50C3-VB TO220F可以用作開關(guān)器件，用于控制和管理電源。其高漏源電壓和較低的導通電阻使其成為這些應用的理想選擇。

3. **光伏逆變器**：
  在光伏逆變器中，16N50C3-VB TO220F可以用于直流到交流電的轉(zhuǎn)換。其高漏源電壓和較低的導通電阻有助于提高逆變器的效率和性能。

4. **電動汽車充電樁**：
  在電動汽車充電樁中，16N50C3-VB TO220F可用作充電樁控制模塊的功率開關(guān)器件。其高漏源電壓和較低的導通電阻能夠確保充電過程的高效率和穩(wěn)定性。

通過以上應用示例可以看出，16N50C3-VB TO220F具有在高壓高功率場景下穩(wěn)定可靠的特點，適用于多種電源管理和開關(guān)控制應用。