### 產(chǎn)品簡介

VBsemi 16N50C3-VB TO263 是一款高壓、高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技術(shù)，具有低導通電阻和高漏極電流能力，適用于各種要求高電壓和高效率的應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 16N50C3-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

#### 電源管理
16N50C3-VB TO263 適用于高壓開關(guān)電源（SMPS）、逆變器、功率因數(shù)校正（PFC）等應用。這些應用需要高電壓耐受和低導通損耗的特性來提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

#### 工業(yè)電子
在工業(yè)控制領域，該MOSFET可用于電機驅(qū)動器、高壓開關(guān)和電源逆變器等。其高耐壓和高電流能力使其能夠應對工業(yè)環(huán)境中的各種高壓負載需求。

#### 照明系統(tǒng)
16N50C3-VB TO263 也可應用于高壓LED驅(qū)動器和電源模塊，以提供高效率的照明解決方案。其高漏極電流和低導通電阻有助于降低系統(tǒng)的能耗并提高照明質(zhì)量。

#### 電動車充電樁
在電動車充電樁中，該型號MOSFET可用于功率控制和電池管理系統(tǒng)，具有高效率和高功率處理能力，確保充電樁的穩(wěn)定性和安全性。

總之，VBsemi 16N50C3-VB TO263 MOSFET 適用于各種高壓高功率應用，具有優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性，是工業(yè)、電源管理、照明和電動車充電樁等領域的理想選擇。