**16N50H TO3P-VB 產(chǎn)品簡介：**

16N50H TO3P-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，具有600V 的漏極-源極電壓（VDS），30V（±V）的柵極-源極電壓（VGS），和3.5V 的閾值電壓（Vth）。它采用了 SJ_Multi-EPI 技術制造，具有高性能和可靠性，適用于各種應用場合。

**16N50H TO3P-VB 詳細參數(shù)說明：**

- 漏極-源極電壓（VDS）：600V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：280mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：15A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**適用領域和模塊示例：**

1. **電源模塊**：16N50H TO3P-VB 可以用作高壓電源開關，適用于需要較高漏極-源極電壓和漏極電流的應用，如電源適配器、UPS 系統(tǒng)等。
2. **電機驅(qū)動**：由于其較高的漏極電流和低導通電阻，適合用于驅(qū)動大功率電機，如工業(yè)電機、電動汽車驅(qū)動電機等。
3. **逆變器模塊**：在需要高效率和高功率密度的應用中，如太陽能逆變器、工業(yè)控制逆變器等領域，16N50H TO3P-VB 可以作為功率開關器件的一部分。
4. **電源管理模塊**：在需要穩(wěn)定可靠的電源管理系統(tǒng)中，16N50H TO3P-VB 可以用于電源開關和保護模塊。

這些示例僅代表了一部分應用領域，實際上，16N50H TO3P-VB 在許多其他領域和模塊中都有廣泛的應用。