VBsemi的18N50L-TA3-T-VB是一款TO220封裝的單N溝道MOSFET。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)信息：

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
18N50L-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門(mén)極-源極電壓（VGS）。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有優(yōu)異的性能和可靠性。適用于高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

**詳細(xì)參數(shù)：**
- 封裝：TO220
- 構(gòu)型：?jiǎn)蜰溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（門(mén)極-源極電壓）：±30V
- Vth（閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：160mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：20A
- 技術(shù)：SJ_Multi-EPI

**適用領(lǐng)域和模塊示例：**
- **電源電池管理**：18N50L-TA3-T-VB可以用于電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等高壓電源管理模塊，提供可靠的功率控制和管理。
- **工業(yè)自動(dòng)化**：適用于工業(yè)設(shè)備中的電源開(kāi)關(guān)模塊，提供高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。
- **照明系統(tǒng)**：可用于高壓LED照明系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的LED光源控制和調(diào)節(jié)。
- **電力傳輸**：適用于電力傳輸系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。

以上是對(duì)18N50L-TA3-T-VB的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明以及適用領(lǐng)域和模塊的語(yǔ)段形式舉例說(shuō)明。