### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的18N50W-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有600V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造，具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為190mΩ（在VGS=10V時(shí)），最大漏極電流（ID）為20A。這使得18N50W-VB非常適合中高壓應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **Package**：TO3P
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：600V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：190mΩ @ VGS=10V
- **ID**：20A
- **Technology**：SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

18N50W-VB適用于各種需要中高壓、高性能MOSFET的應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源管理**：18N50W-VB的高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等中高壓電源管理系統(tǒng)中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：18N50W-VB可用于電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)械和家用電器等領(lǐng)域的中高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，其能夠提供高效率和可靠性。

3. **工業(yè)控制**：在需要控制中高電壓和電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，18N50W-VB可以用作開關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **照明應(yīng)用**：18N50W-VB的高性能和可靠性使其成為L(zhǎng)ED照明驅(qū)動(dòng)器和其他中高壓照明應(yīng)用的理想選擇。

5. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，18N50W-VB可用于電動(dòng)汽車充電樁、DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他中高壓應(yīng)用。

總之，18N50W-VB是一款功能強(qiáng)大、可靠性高的中高壓MOSFET，適用于各種中高壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。