### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的18N60M2-VB TO220F是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻。采用Plannar技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊的高性能應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：

- **包裝**：TO220F
- **結(jié)構(gòu)**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術(shù)**：Plannar

### 應(yīng)用示例：

1. **電力因素校正器**：由于其高耐壓和低導(dǎo)通電阻，18N60M2-VB TO220F適用于電力因素校正器模塊，能夠提高電力系統(tǒng)的效率。

2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可以用于控制電流和電壓，實(shí)現(xiàn)快速充電。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，這款MOSFET能夠承受高壓，適用于電能轉(zhuǎn)換和儲存模塊。

4. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源設(shè)備中，這款MOSFET可以用于開關(guān)電源和UPS系統(tǒng)，提供可靠的電力輸出。

5. **電機(jī)驅(qū)動**：在需要大電流輸出的電機(jī)驅(qū)動模塊中，這款MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)控制和低損耗的功率轉(zhuǎn)換。

以上是18N60M2-VB TO220F的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用示例。