### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的18N6L-VB是一款單N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有60V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用Trench技術(shù)制造，具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為30mΩ（在VGS=4.5V時(shí)）和25mΩ（在VGS=10V時(shí)），最大漏極電流（ID）為45A。這使得18N6L-VB非常適合低壓應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **Package**：TO252
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：60V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：30mΩ @ VGS=4.5V；25mΩ @ VGS=10V
- **ID**：45A
- **Technology**：Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

18N6L-VB適用于各種低壓、高性能MOSFET的應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源管理**：18N6L-VB的低漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等低壓電源管理系統(tǒng)中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：18N6L-VB可用于電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)械和家用電器等領(lǐng)域的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，其能夠提供高效率和可靠性。

3. **照明應(yīng)用**：由于其低漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻，18N6L-VB適用于LED照明驅(qū)動(dòng)器和其他低壓照明應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子**：在需要高性能、低壓MOSFET的消費(fèi)電子產(chǎn)品中，18N6L-VB可以用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊。

5. **電池管理**：18N6L-VB也可以用于電池管理系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的高效充放電控制。

總之，18N6L-VB是一款功能強(qiáng)大、可靠性高的低壓MOSFET，適用于各種低壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。