VBsemi 18NM60N-VB TO220F MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

VBsemi的18NM60N-VB TO220F是一款TO220F封裝的單通道N溝道MOSFET。該產(chǎn)品具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），160mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及20A的漏極電流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)。

18NM60N-VB TO220F詳細(xì)參數(shù)說明：

- 封裝：TO220F
- 類型：?jiǎn)瓮ǖ繬溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：20A
- 技術(shù)：SJ_Multi-EPI

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：

1. 電源適配器：18NM60N-VB TO220F適用于電源適配器中的開關(guān)電源電路，可以實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

2. 電動(dòng)汽車充電樁：由于18NM60N-VB TO220F具有較低的導(dǎo)通電阻和高的漏極電流，可用于電動(dòng)汽車充電樁中的功率開關(guān)電路，提高充電效率。

3. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在需要高電壓和高電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，18NM60N-VB TO220F可以提供穩(wěn)定可靠的性能。

4. LED照明驅(qū)動(dòng)：18NM60N-VB TO220F的高電壓和電流特性適合用于LED照明驅(qū)動(dòng)電路，確保LED燈具的穩(wěn)定工作。

以上是關(guān)于VBsemi 18NM60N-VB TO220F MOSFET的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說明以及在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例。