### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的18P10GH-VB是一款單P溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：

- **包裝**：TO252
- **結(jié)構(gòu)**：單P溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：-100V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：-2V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：120mΩ @ VGS=4.5V；100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：-16A
- **技術(shù)**：槽道

### 應(yīng)用示例：

1. **電源模塊**：由于其高導(dǎo)通電阻和高漏極電流，18P10GH-VB適用于低功率電源模塊，能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。

2. **LED驅(qū)動器**：在LED照明應(yīng)用中，這款MOSFET可以用作驅(qū)動器，提供穩(wěn)定的電流輸出。

3. **電池管理系統(tǒng)**：在電池管理系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于充放電控制，實(shí)現(xiàn)電池的高效管理。

4. **汽車電子**：由于其高漏極電流和高壓特性，這款MOSFET適用于汽車電子模塊，如車燈控制和電動汽車控制器。

5. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設(shè)備中，這款MOSFET可以用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

以上是18P10GH-VB的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用示例。