**產品簡介：**
VBsemi的18P10GJ-VB是一款TO251封裝的單P溝道MOSFET。它具有-100V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。采用了溝道技術，具有優(yōu)異的性能和可靠性，適用于負壓應用場合。
**詳細參數：**
- 封裝：TO251
- 構型：單P溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：-100V
- VGS（門極-源極電壓）：±20V
- Vth（閾值電壓）：-2V
- RDS(ON)（導通電阻）：120mΩ@VGS=4.5V；100mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：-16A
- 技術：溝道
**適用領域和模塊示例：**
- **電源逆變器**：18P10GJ-VB適用于負壓逆變器中的功率開關，提供可靠的功率轉換和管理。
- **汽車電子**：可用于汽車電子系統中的電源管理模塊，提供高效的電源控制。
- **工業(yè)控制**：適用于工業(yè)控制系統中的功率開關模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。
- **LED照明**：18P10GJ-VB可以用于LED照明系統中的功率開關，實現高效的LED光源控制和調節(jié)。
以上是對18P10GJ-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式舉例說明。
