VBsemi 18P10GS-VB TO263 MOSFET產(chǎn)品簡介：

18P10GS-VB TO263是一款單P溝道場效應(yīng)管，具有-100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），-2V的閾值電壓（Vth），240mΩ@VGS=4.5V和200mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及-12A的漏極電流（ID）。采用了溝道技術(shù)（Trench Technology）。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO263
- 類型：單P溝道（Single-P-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：-100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：-2V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：240mΩ@VGS=4.5V，200mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：-12A
- 技術(shù)：溝道技術(shù)（Trench）

適用領(lǐng)域和模塊示例：
1. 電源模塊：18P10GS-VB TO263適用于負(fù)電壓電源模塊，如電源逆變器和負(fù)電壓開關(guān)電源設(shè)計。
2. 電池管理：可用于電池管理系統(tǒng)中的負(fù)電壓保護電路，確保電池安全可靠。
3. 逆變器：在逆變器設(shè)計中，可用于高效能量轉(zhuǎn)換和電壓控制。
4. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如車載電源管理器和車載娛樂系統(tǒng)。
5. 工業(yè)控制：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，可用于負(fù)電壓開關(guān)電路和電機控制器設(shè)計。

這些是18P10GS-VB TO263 MOSFET在各個領(lǐng)域和模塊上的一些示例應(yīng)用。