### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的18T10GP-VB是一款單N溝道MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），和1.8V的閾值電壓（Vth）。它采用了Trench技術(shù)，具有出色的性能和可靠性。這款MOSFET的RDS(ON)為127mΩ@VGS=10V，ID為18A，適用于多種領(lǐng)域和模塊。

### 參數(shù)說明：

- **型號：** 18T10GP-VB
- **包裝：** TO220
- **配置：** 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 100V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** 20V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 1.8V
- **RDS(ON)：** 127mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 18A
- **技術(shù)：** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊：

1. **電源模塊：** 18T10GP-VB可以用于開關(guān)電源模塊，提供高效率和可靠性。
2. **電動工具：** 在電動工具中，這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動器，實現(xiàn)可靠的開關(guān)控制和低損耗。
3. **LED照明：** 在LED照明中，這款MOSFET可以用于驅(qū)動電路，提供高效率和可靠性。
4. **電動汽車充電器：** 由于其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻，這款MOSFET適用于電動汽車充電器，可實現(xiàn)高效率的充電。

這些是18T10GP-VB MOSFET的一些應(yīng)用領(lǐng)域示例，但并不局限于此，它還可以用于許多其他領(lǐng)域和模塊，以滿足各種電源和控制需求。