### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的19NM65N-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造，具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為300mΩ（在VGS=10V時(shí)），最大漏極電流（ID）為15A。這使得19NM65N-VB非常適合中高壓應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **Package**：TO247
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：300mΩ @ VGS=10V
- **ID**：15A

- **Technology**：SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

19NM65N-VB適用于各種中高壓、高性能MOSFET的應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源管理**：由于其中高壓特性，19NM65N-VB可用于開(kāi)關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等中高壓電源管理系統(tǒng)中，提供高效率和可靠性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：在需要中高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用中，如工業(yè)機(jī)械、電動(dòng)汽車等，19NM65N-VB可以實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。

3. **充電樁**：在需要中高壓充電樁的應(yīng)用中，19NM65N-VB可用于實(shí)現(xiàn)高效的充電控制和管理。

4. **工業(yè)控制**：在需要控制中高壓電壓和電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，19NM65N-VB可以用作開(kāi)關(guān)器件，實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和控制。

5. **照明應(yīng)用**：由于其高性能和可靠性，19NM65N-VB適用于LED照明驅(qū)動(dòng)器和其他中高壓照明應(yīng)用。

總之，19NM65N-VB是一款功能強(qiáng)大、可靠性高的中高壓MOSFET，適用于各種中高壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。