### 產(chǎn)品簡介

1N60H-VB是一款單路N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），采用平面技術(shù)，具有高達(dá)650V的漏極-源極電壓（VDS）和2A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO251封裝，適用于多種領(lǐng)域和模塊，提供可靠的性能和功率控制。

### 參數(shù)說明

- **型號:** 1N60H-VB TO251
- **封裝:** TO251
- **構(gòu)造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 650V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth (閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻):** 4300mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 2A
- **技術(shù):** 平面

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **低功率應(yīng)用:** 由于其較低的漏極電流和高漏極-源極電壓特性，1N60H-VB適用于低功率應(yīng)用，如電源管理、低功率逆變器等。

2. **LED驅(qū)動器:** 在LED照明領(lǐng)域，1N60H-VB可用作LED驅(qū)動器中的功率開關(guān)元件，幫助實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的照明效果。

3. **工業(yè)控制:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，1N60H-VB可用于驅(qū)動小型電機(jī)、控制傳感器和執(zhí)行器等。

4. **電源逆變器:** 在較低功率的逆變器中，這款MOSFET可用于功率開關(guān)電路，如太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等。

5. **電池管理:** 在電池管理系統(tǒng)中，1N60H-VB可用于保護(hù)電池和控制充放電過程。

以上是一些1N60H-VB可應(yīng)用的領(lǐng)域和模塊示例，但并不局限于此，具體應(yīng)用取決于設(shè)計要求和系統(tǒng)需求。