VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET產(chǎn)品簡介：

VBsemi的1N60L-TM3-T-VB TO251是一款TO251封裝的單通道N溝道MOSFET。該產(chǎn)品具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），4300mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及2A的漏極電流（ID）。采用Plannar技術。

1N60L-TM3-T-VB TO251詳細參數(shù)說明：

- 封裝：TO251
- 類型：單通道N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：4300mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：2A
- 技術：Plannar

產(chǎn)品應用領域和模塊示例：

1. 電源適配器：1N60L-TM3-T-VB TO251適用于電源適配器中的開關電源電路，可以實現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

2. LED照明驅(qū)動：由于1N60L-TM3-T-VB TO251具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，可用于LED照明驅(qū)動電路，確保LED燈具的穩(wěn)定工作。

3. 電動汽車充電樁：在電動汽車充電樁中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以用于功率開關電路，提高充電效率。

4. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在需要高電壓和適中電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以提供穩(wěn)定可靠的性能。

以上是關于VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及在不同領域和模塊中的應用示例。