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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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1N65L-TA3-T-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號: 1N65L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的1N65L-TA3-T-VB是一款單N溝道場效應(yīng)管(MOSFET),具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的門極-源極電壓(VGS)。該器件采用Plannar技術(shù)制造,具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3900mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和3120mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏極電流(ID)為2A。這使得1N65L-TA3-T-VB適用于低功率、低頻率應(yīng)用,如電源開關(guān)、低功率逆變器等。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **Package**:TO220
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:650V
- **VGS**:30V(±)
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:3900mΩ @ VGS=4.5V;3120mΩ @ VGS=10V
- **ID**:2A
- **Technology**:Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1N65L-TA3-T-VB適用于低功率、低頻率應(yīng)用,包括但不限于:

1. **電源開關(guān)**:由于其低漏極-源極導(dǎo)通電阻和低功率特性,1N65L-TA3-T-VB可用于低功率電源開關(guān),如電視機(jī)、音響設(shè)備等。

2. **低功率逆變器**:在需要低功率逆變器的應(yīng)用中,如家用電器、小型電動車等,1N65L-TA3-T-VB可以實(shí)現(xiàn)簡單而有效的逆變控制。

3. **電動工具**:在需要低功率、高效率的電動工具中,1N65L-TA3-T-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動器的開關(guān)器件,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **LED照明**:由于其低功率特性,1N65L-TA3-T-VB適用于低功率LED照明驅(qū)動器和其他低功率照明應(yīng)用。

總之,1N65L-TA3-T-VB是一款低功率、低頻率應(yīng)用的MOSFET,適用于各種低功率領(lǐng)域和模塊。

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