### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

VBsemi的1N90G-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊的高性能應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：

- **包裝**：TO220
- **結(jié)構(gòu)**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：900V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：1500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：5A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用示例：

1. **電源模塊**：由于其高耐壓和低導(dǎo)通電阻，1N90G-TA3-T-VB適用于高功率電源模塊，能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設(shè)備中，這款MOSFET可以用于開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **電動(dòng)汽車(chē)充電器**：在電動(dòng)汽車(chē)充電器中，這款MOSFET可以用于高效率的電能轉(zhuǎn)換，提高充電速度。

4. **太陽(yáng)能逆變器**：在太陽(yáng)能電池系統(tǒng)中，這款MOSFET能夠承受高壓，適用于逆變器和電能調(diào)節(jié)模塊。

5. **高壓開(kāi)關(guān)**：由于其高耐壓特性，這款MOSFET可以用作高壓開(kāi)關(guān)，用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。

以上是1N90G-TA3-T-VB的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用示例。