VBsemi 1N90L-TF3-T-VB TO220F MOSFET產品簡介：

1N90L-TF3-T-VB TO220F是一款單N溝道場效應管，具有950V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），3.5V的閾值電壓（Vth），5400mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及3A的漏極電流（ID）。采用了平面技術（Plannar Technology）。

詳細參數說明：
- 封裝：TO220F
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：950V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：5400mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：3A
- 技術：平面技術（Plannar）

適用領域和模塊示例：
1. 電源模塊：1N90L-TF3-T-VB TO220F適用于中功率電源模塊，如開關電源和逆變器設計。
2. 工業(yè)控制：可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率開關電路和傳感器接口設計。
3. 太陽能逆變器：在太陽能逆變器模塊中，可以實現(xiàn)太陽能電池板的能量轉換和管理。
4. 照明應用：適用于LED驅動器和照明系統(tǒng)，實現(xiàn)高效能量轉換和亮度控制。

這些是1N90L-TF3-T-VB TO220F MOSFET在各個領域和模塊上的一些示例應用。