VBsemi 200N15N-VB TO252 MOSFET產品簡介：
200N15N-VB TO252是一款單N溝道場效應管，具有150V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），3V的閾值電壓（Vth），19mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及50A的漏極電流（ID）。采用了溝道技術（Trench Technology）。
詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO252
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：150V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：19mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：50A
- 技術：溝道技術（Trench）
適用領域和模塊示例：
1. 電源模塊：200N15N-VB TO252適用于高功率電源模塊，如開關電源和逆變器設計。
2. 電動工具：可用于高功率電動工具驅動器設計，如電動鉆機和電動割草機。
3. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如車載電源管理器和車載娛樂系統(tǒng)。
4. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化和機器人領域，該器件可用于高功率開關電路和電機控制器設計。
5. 太陽能逆變器：用于太陽能逆變器模塊，實現(xiàn)太陽能電池板的能量轉換和管理。
這些是200N15N-VB TO252 MOSFET在各個領域和模塊上的一些示例應用。
