### 產(chǎn)品簡介

200N15N-VB是一款單路N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），采用槽溝道技術(shù)，具有高達(dá)150V的漏極-源極電壓（VDS）和128A的漏極電流（ID）能力。該器件采用TO263封裝，適用于多種領(lǐng)域和模塊，提供高性能的功率控制。

### 參數(shù)說明

- **型號:** 200N15N-VB TO263
- **封裝:** TO263
- **構(gòu)造:** 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓):** 150V
- **VGS (柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth (閾值電壓):** 3V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻):** 7.5mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流):** 128A

- **技術(shù):** 槽溝道

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器:** 由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻特性，這款MOSFET可用于高性能電源逆變器中的功率開關(guān)電路，如太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等。

2. **電動汽車充電樁:** 在電動汽車充電樁中的功率開關(guān)電路中，200N15N-VB可確保高效率和可靠性的充電過程。

3. **工業(yè)電源:** 在需要高功率密度和高效能量轉(zhuǎn)換的工業(yè)電源中，這款MOSFET可用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

4. **電機(jī)控制:** 在需要高電流和低電壓降的電機(jī)控制系統(tǒng)中，200N15N-VB可用于驅(qū)動電機(jī)和控制電機(jī)速度的應(yīng)用。

5. **電池管理:** 在需要高功率和低功率損耗的電池管理系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于保護(hù)電池和控制充放電過程。

以上是一些200N15N-VB可應(yīng)用的領(lǐng)域和模塊示例，但并不局限于此，具體應(yīng)用取決于設(shè)計要求和系統(tǒng)需求。