### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的200N55F3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，適用于高功率和中等電壓的應(yīng)用場合。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于高性能電源管理和電機控制等領(lǐng)域。

### 參數(shù)說明：

- **包裝**: TO263
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 3V
- **RDS(ON)**: 7mΩ @ VGS=4.5V, 2.5mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 270A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：

1. **電源管理**: 由于其低導(dǎo)通電阻特性，200N55F3-VB適用于高性能開關(guān)電源和逆變器模塊，實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
  
2. **電機控制**: 在工業(yè)和汽車領(lǐng)域，這種MOSFET可用于高功率的電機控制，包括直流電機和三相電機。

3. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中，這種MOSFET可用于電池管理和馬達控制，提供穩(wěn)定的電源和高效的電動機驅(qū)動。

4. **電力電子**: 200N55F3-VB適用于各種高功率電力電子設(shè)備，如電力逆變器和變頻器，實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。

5. **工業(yè)控制**: 這種MOSFET可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高功率開關(guān)和電源管理模塊，提供可靠的性能和長期穩(wěn)定性。