### 產品簡介

**28NM50N-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO220封裝。這款MOSFET具有500V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為140mΩ，最大漏極電流（ID）為30A。采用SJ_Multi-EPI技術，適用于各種高壓高功率應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                  |
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| 封裝類型            | TO220                |
| 配置                | 單N溝道              |
| 漏源電壓（VDS）     | 500V                 |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）              |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                 |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 140mΩ@VGS=10V        |
| 最大漏極電流（ID）  | 30A                  |
| 技術                | SJ_Multi-EPI         |

### 應用領域和模塊

1. **電源逆變器**：28NM50N-VB MOSFET適用于電源逆變器，如太陽能逆變器和風力發(fā)電逆變器。其高漏源電壓和電流能力使其能夠處理高功率的直流-交流轉換。

2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，28NM50N-VB MOSFET用于直流充電樁的功率轉換和控制。其高壓和高電流能力確保充電過程的高效率和穩(wěn)定性。

3. **高壓電源模塊**：在需要高壓穩(wěn)定輸出的電源模塊中，28NM50N-VB MOSFET可以用作開關元件。其高漏源電壓和低導通電阻能力使其能夠提供穩(wěn)定可靠的高壓電源輸出。

4. **感應加熱設備**：在感應加熱設備中，如感應爐和感應加熱器，這款MOSFET可以用于高功率開關控制。其高電流和高功率特性使其能夠提供高效的感應加熱效果。

5. **電力傳輸**：在電力傳輸和分配系統(tǒng)中，28NM50N-VB MOSFET可以用于開關控制和保護。其高壓和高電流能力使其能夠處理電力系統(tǒng)中的高壓和高功率要求。