### 產品簡介

**2N60L-TF1-T-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為1700mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用Plannar技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規(guī)格                    |
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| 封裝類型            | TO220F                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 650V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                    |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 1700mΩ@VGS=10V          |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                      |
| 技術                | Plannar                 |

### 應用領域和模塊

1. **低功率電源**：2N60L-TF1-T-VB MOSFET適用于低功率電源模塊，如適配器、小型電源供應器和充電器。其低導通電阻和低功率特性使其能夠提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

2. **照明控制**：在LED照明和其他低功率照明系統(tǒng)中，這款MOSFET被用來調節(jié)電流和控制亮度，確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運行。

3. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，2N60L-TF1-T-VB MOSFET可以用于低功率應用，如車內照明、輔助電路和傳感器控制。其高壓和低功率特性使其能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對功率密度和效率的要求。