### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**2N7002BKT-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用SC75-3封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開(kāi)啟閾值電壓（Vth）為1.7V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時(shí)為2000mΩ，在柵源電壓為10V時(shí)為1200mΩ，最大漏極電流（ID）為0.33A。采用Trench技術(shù)，適用于低功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封裝類型            | SC75-3                 |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 60V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）                |
| 開(kāi)啟閾值電壓（Vth） | 1.7V                   |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） | 2000mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 0.33A                  |
| 技術(shù)                | Trench                 |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **模擬開(kāi)關(guān)**：2N7002BKT-VB MOSFET適用于各種模擬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)、視頻信號(hào)開(kāi)關(guān)等。其低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)啟閾值電壓使其能夠提供高品質(zhì)的信號(hào)傳輸。

2. **電源管理**：在低功率電源管理電路中，這款MOSFET可以用作開(kāi)關(guān)元件，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為電源管理領(lǐng)域的理想選擇。

3. **傳感器接口**：在各種傳感器接口電路中，2N7002BKT-VB MOSFET可以用來(lái)控制傳感器的供電和信號(hào)傳輸。其低功率特性和可靠性使其能夠滿足傳感器接口電路對(duì)功耗和穩(wěn)定性的要求。