### 產(chǎn)品簡介

**2N80L-TM3-R-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用TO251封裝。這款MOSFET具有800V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為2600mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于中功率應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
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| 封裝類型            | TO251                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 800V                   |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                   |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 2600mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                     |
| 技術(shù)                | SJ_Multi-EPI           |

### 應用領(lǐng)域和模塊

1. **電源開關(guān)**：2N80L-TM3-R-VB MOSFET適用于電源開關(guān)應用，如電源適配器、電源管理單元等。其高漏源電壓和穩(wěn)定性能使其能夠承受較高的電壓和電流負載。

2. **電動車充電樁**：在電動車充電樁中，這款MOSFET可以用作開關(guān)元件，控制電流的通斷，保證充電過程的穩(wěn)定性和安全性。

3. **感應加熱器**：在感應加熱器電路中，2N80L-TM3-R-VB可以用來控制感應線圈的工作狀態(tài)，實現(xiàn)對加熱器的功率調(diào)節(jié)。其高漏源電壓和低導通電阻特性使其能夠在高功率加熱場景下工作穩(wěn)定。