### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的2N90L-TM3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有較高的漏源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻。該器件適用于高壓應(yīng)用，如電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動。2N90L-TM3-T-VB采用TO251封裝，適合于需要較高功率處理能力的電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: 2N90L-TM3-T-VB
- **封裝形式**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - 2N90L-TM3-T-VB可用于高壓電源管理電路中，如開關(guān)電源和逆變器。其較高的漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻可確保電路的高效能和穩(wěn)定性。

2. **逆變器**：
  - 在逆變器電路中，該MOSFET可用于控制電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。其高漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻可確保逆變器電路的高效率和可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動**：
  - 作為電機(jī)驅(qū)動器，2N90L-TM3-T-VB可用于控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速。其較高的漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻可確保電機(jī)驅(qū)動器的穩(wěn)定性和性能。

綜上所述，VBsemi的2N90L-TM3-T-VB MOSFET適用于各種高壓應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。