### 產(chǎn)品簡介
2N90-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，由VBsemi提供。該器件具有950V的漏極-源極電壓，適用于中功率應(yīng)用。采用了Plannar技術(shù)，提供了可靠的性能和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：950V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：5400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：3A
- **技術(shù)**：Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
2N90-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用，以下是一些典型的應(yīng)用示例：
1. **電源管理**：
由于其高漏極-源極電壓，該器件適用于電源管理應(yīng)用，如開關(guān)電源、逆變器等。
2. **電機驅(qū)動**：
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，2N90-VB 可以用作電機控制電路中的開關(guān)器件，幫助實現(xiàn)電機的控制和調(diào)節(jié)。
3. **電動汽車充電**：
該器件適用于電動汽車充電樁中的開關(guān)器件，幫助實現(xiàn)對電動汽車充電的控制和管理。
4. **工業(yè)控制**：
2N90-VB 可以用作工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)器件，實現(xiàn)對各種設(shè)備和機械的控制。
5. **醫(yī)療設(shè)備**：
在醫(yī)療設(shè)備中，該MOSFET 可以用于電源管理和控制電路，保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
以上應(yīng)用示例展示了2N90-VB 的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域和多功能性，使其成為各種電子系統(tǒng)中的理想選擇。
