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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2N90ZL-TF3-T-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2N90ZL-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**2N90ZL-TF3-T-VB**是一款單N溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用TO220F封裝。這款MOSFET具有950V的漏源電壓(VDS)和30V(±)的柵源電壓(VGS)。其開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為10V時(shí)為5400mΩ,最大漏極電流(ID)為3A。采用Plannar技術(shù),適用于中功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封裝類型            | TO220F                 |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓(VDS)     | 950V                   |
| 柵源電壓(VGS)     | 30V(±)                |
| 開(kāi)啟閾值電壓(Vth) | 3.5V                   |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 5400mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏極電流(ID)  | 3A                     |
| 技術(shù)                | Plannar                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源開(kāi)關(guān)**:2N90ZL-TF3-T-VB MOSFET適用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電源適配器、UPS等。其高漏源電壓和穩(wěn)定性能使其能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載。

2. **電動(dòng)車充電樁**:在電動(dòng)車充電樁中,這款MOSFET可以用作開(kāi)關(guān)元件,控制電流的通斷,保證充電過(guò)程的穩(wěn)定性和安全性。

3. **工業(yè)電子**:在工業(yè)電子設(shè)備中,2N90ZL-TF3-T-VB可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電路中,其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠承受高壓和高功率負(fù)載。

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