### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的2R803GH-VB是一款單N溝道MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流。該器件適用于低壓應(yīng)用，如電源管理、逆變器和電機驅(qū)動。2R803GH-VB采用TO252封裝，適合于需要較高功率處理能力的電路設(shè)計。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2R803GH-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 3mΩ @ VGS = 4.5V, 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - 2R803GH-VB可用于低壓電源管理電路中，如開關(guān)電源和逆變器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流可確保電路的高效能和穩(wěn)定性。

2. **逆變器**：
  - 在逆變器電路中，該MOSFET可用于控制電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流可確保逆變器電路的高效率和可靠性。

3. **電機驅(qū)動**：
  - 作為電機驅(qū)動器，2R803GH-VB可用于控制電機的啟停和轉(zhuǎn)速。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流可確保電機驅(qū)動器的穩(wěn)定性和性能。

綜上所述，VBsemi的2R803GH-VB MOSFET適用于各種低壓應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在電源管理、逆變器和電機驅(qū)動等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。