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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SJ128-Z-VB一種P-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 2SJ128-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**2SJ128-Z-VB**是一款單P溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用TO252封裝。這款MOSFET具有-100V的漏源電壓(VDS)和20V(±)的柵源電壓(VGS)。其開啟閾值電壓(Vth)為-2V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時(shí)為280mΩ,在10V時(shí)為250mΩ,最大漏極電流(ID)為-8.8A。采用Trench技術(shù),適用于中功率應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封裝類型            | TO252                  |
| 配置                | 單P溝道                |
| 漏源電壓(VDS)     | -100V                  |
| 柵源電壓(VGS)     | 20V(±)                |
| 開啟閾值電壓(Vth) | -2V                    |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 280mΩ@VGS=4.5V        |
|                    | 250mΩ@VGS=10V          |
| 最大漏極電流(ID)  | -8.8A                  |
| 技術(shù)                | Trench                 |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:2SJ128-Z-VB MOSFET適用于電源管理領(lǐng)域,如電源適配器、充電器等。其高漏源電壓和穩(wěn)定性能使其能夠承受較高的負(fù)載。

2. **功率放大器**:在音頻功率放大器中,這款MOSFET可以用作輸出級的開關(guān)元件,控制信號的放大和輸出。

3. **電動工具**:在電動工具中,2SJ128-Z-VB可以用于控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),保證工具的穩(wěn)定性和安全性。

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