--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK1529-VB MOSFET 產(chǎn)品概述
**簡介:**
2SK1529-VB是VBsemi設(shè)計的N-Channel MOSFET,適用于中壓高電流應(yīng)用。采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于需要高效能和高穩(wěn)定性的電路設(shè)計。
**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 4V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 13.8mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 96A
- **技術(shù):** Trench
- **封裝:** TO3P
- **配置:** 單N-Channel

### 詳細(xì)規(guī)格
1. **電氣特性:**
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 4V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 13.8mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 96A
2. **熱性能和機(jī)械特性:**
- **封裝類型:** TO3P
- **結(jié)-外界熱阻:** 標(biāo)準(zhǔn)TO3P封裝的熱阻
- **最大結(jié)溫(Tj):** 由制造商指定
3. **性能特點:**
- **技術(shù):** Trench
- **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
- **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值
### 應(yīng)用示例
1. **電源管理:**
2SK1529-VB適用于中壓高電流的電源管理系統(tǒng),如電池管理、電源開關(guān)和穩(wěn)壓器。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效能電源管理方面表現(xiàn)出色。
2. **電機(jī)驅(qū)動:**
該MOSFET可用于驅(qū)動中壓電機(jī),如電動汽車、工業(yè)機(jī)械和家用電器中的電機(jī)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為驅(qū)動電機(jī)的理想選擇。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng):**
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1529-VB可用于控制開關(guān)和電流控制器。其高電流和高穩(wěn)定性使其成為工業(yè)設(shè)備中不可或缺的元件。
綜上所述,VBsemi的2SK1529-VB MOSFET是一款適用于中壓高電流應(yīng)用的N-Channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域。其高效能和高穩(wěn)定性使其成為各種應(yīng)用的理想選擇。
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