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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK2158A-T2B-AT-VB一款N-Channel溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK2158A-T2B-AT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK2158A-T2B-AT-VB 型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK2158A-T2B-AT-VB 是一款單通道N型功率MOSFET,采用溝槽技術(shù),具有低電壓、低功率的特點(diǎn)。其封裝形式為SOT23-3,適合在低功率應(yīng)用中進(jìn)行功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 二、2SK2158A-T2B-AT-VB 型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝形式(Package):** SOT23-3
- **配置(Configuration):** 單N型通道(Single N-Channel)
- **漏源電壓(VDS):** 60V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 3100mΩ @ VGS=4.5V
 - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 0.3A
- **技術(shù)(Technology):** 溝槽(Trench)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊示例

2SK2158A-T2B-AT-VB 功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **低功率開(kāi)關(guān)電路:** 由于其低功率特性,該MOSFET適用于各種低功率開(kāi)關(guān)電路,如小型電子設(shè)備中的電源管理、信號(hào)處理等。

2. **電源管理:** 在便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于電源管理模塊,提供有效的功率控制和管理。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器:** 該器件適用于LED照明產(chǎn)品中的驅(qū)動(dòng)器模塊,實(shí)現(xiàn)對(duì)LED的高效能控制和調(diào)節(jié)。

4. **手機(jī)和平板電腦:** 2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的功率控制模塊,提供穩(wěn)定的電源輸出。

5. **電池管理:** 在需要對(duì)電池進(jìn)行充放電管理的應(yīng)用中,該MOSFET可用于控制電池的充放電過(guò)程,確保電池的安全和穩(wěn)定性。

綜上所述,2SK2158A-T2B-AT-VB 具有低功率、低電壓的特點(diǎn),適用于各種低功率應(yīng)用領(lǐng)域,特別是便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

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