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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP73T03GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AP73T03GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 Single-N
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP73T03GH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),具有高效能的功率轉(zhuǎn)換能力。該器件適用于多種中高功率電子應(yīng)用。

- **包裝類型:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 80A
- **技術(shù):** Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **包裝和配置:**
  - **TO252封裝:** 適合表面貼裝,具有良好的熱管理特性和適中的功率處理能力。

2. **電氣特性:**
  - **低導(dǎo)通電阻:** 
    - 6mΩ @ VGS = 4.5V
    - 5mΩ @ VGS = 10V
  - **高電流承載能力:** 最大漏極電流為80A,適合處理高電流負(fù)載和高功率應(yīng)用。
  - **廣泛的工作電壓范圍:** 支持最大30V的漏極-源極電壓,適用于多種中等電壓范圍的電子設(shè)備和電路設(shè)計(jì)。

3. **技術(shù)優(yōu)勢(shì):**
  - **Trench技術(shù):** 采用先進(jìn)的Trench結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提升了導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性,適合高功率、高頻率開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### 應(yīng)用示例:

AP73T03GH-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理和轉(zhuǎn)換器:** 該器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和電源適配器中的功率開關(guān)。這些應(yīng)用要求高效的電能轉(zhuǎn)換和低損耗的操作,而AP73T03GH-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠滿足這些要求。

- **電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛:** 在電機(jī)控制器中,AP73T03GH-VB可以處理高電流開關(guān)和功率控制,確保電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車的高效能運(yùn)行。

- **電源逆變器:** 該MOSFET在太陽能逆變器和電網(wǎng)逆變器中充當(dāng)關(guān)鍵組件,有效地將太陽能電能轉(zhuǎn)換為交流電能,提升整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

- **工業(yè)自動(dòng)化:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,AP73T03GH-VB用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)執(zhí)行器、傳感器接口和邏輯控制單元,提供可靠的電力控制和高效的電流開關(guān)功能。

這些應(yīng)用示例展示了AP73T03GH-VB在多個(gè)中高功率、高效率電子設(shè)計(jì)中的潛力,顯示其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的重要性和廣泛適用性。

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