--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**AP9960GD-VB**是一款雙N溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝為DIP8。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適用于高效電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)
- **型號(hào)**:AP9960GD-VB
- **封裝**:DIP8
- **配置**:雙N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:20(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:1~3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 15mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:9.5A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
**AP9960GD-VB**具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,使其在以下領(lǐng)域和模塊中非常適用:
1. **電源管理模塊**:該器件可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器中,以提高轉(zhuǎn)換效率和降低功耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,AP9960GD-VB可用于控制電機(jī)的啟動(dòng)和停止,提供高效且可靠的電流傳輸。
3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:該器件適用于高效負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠快速切換負(fù)載,適用于需要快速響應(yīng)的電路。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,AP9960GD-VB可用于保護(hù)電池免受過(guò)流和過(guò)壓的損害,確保電池的安全性和壽命。
5. **消費(fèi)電子**:在筆記本電腦、智能手機(jī)和其他便攜設(shè)備中,該器件可用于電源開(kāi)關(guān)和電源管理,提升設(shè)備的整體性能。
通過(guò)采用AP9960GD-VB,設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的電源管理和控制,滿足各種電子設(shè)備和系統(tǒng)對(duì)高性能和可靠性的需求。
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