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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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APM9946J-VB一款Dual-N溝道DIP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: APM9946J-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DIP8
  • 溝道 Dual-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

APM9946J-VB 是一種雙 N 溝道 MOSFET,封裝在 DIP8 外殼中。該器件采用溝槽技術(shù)制造,專為高電壓和高電流應用設(shè)計。其較高的漏源電壓和低導通電阻使其在要求高功率和高可靠性的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。APM9946J-VB 提供了卓越的開關(guān)性能和高效能量管理,適用于各種電子設(shè)備中的電源管理和負載開關(guān)任務。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:DIP8
- **配置**:雙通道(N溝道 + N溝道)
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1V ~ 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - VGS = 4.5V: 45.6mΩ
 - VGS = 10V: 38mΩ
- **漏極電流 (ID)**:6A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 應用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  - APM9946J-VB 在開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中能夠處理高電壓和高電流應用。其較低的導通電阻和高漏源電壓提供了穩(wěn)定的電源輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換,特別適合高功率電源管理系統(tǒng)。

2. **負載開關(guān)**:
  - 該 MOSFET 適用于負載開關(guān)應用,能夠有效地控制電流流動并提供可靠的開關(guān)操作。其高電流承載能力和低 RDS(ON) 減少了開關(guān)過程中的功率損耗,提升了系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在電池保護和充電管理系統(tǒng)中,APM9946J-VB 可以用于控制電池的充電和放電過程。其高電壓承載能力和低導通電阻能夠有效地保護電池免受過流和過熱的損害,確保電池系統(tǒng)的安全運行。

4. **電機驅(qū)動**:
  - 在電機驅(qū)動應用中,該 MOSFET 能夠處理高電流,并提供可靠的電流控制。其雙通道配置使得電機驅(qū)動電路設(shè)計更加簡便,同時提供高效能量傳輸和穩(wěn)定的電機控制性能。

APM9946J-VB 的高電壓和高電流能力,使其在電源管理、負載控制和電池管理等應用中表現(xiàn)突出,是現(xiàn)代電子設(shè)備中處理高功率和高電流應用的理想選擇。

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