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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AUIRF5210S-VB一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AUIRF5210S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**AUIRF5210S-VB** 是一款高性能單P溝道MOSFET,封裝為TO263。這款MOSFET采用溝槽技術(shù),設(shè)計用于高電壓和大電流應(yīng)用,具有負(fù)漏源電壓(-100V)和相對較低的導(dǎo)通電阻(40mΩ @ VGS=10V)。AUIRF5210S-VB 的負(fù)漏極電流可達(dá)-37A,使其非常適合用作電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)及其他要求高電流和高電壓的場合。其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性使其在各種電源管理和電動機(jī)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:AUIRF5210S-VB
- **封裝**:TO263
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-100V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 50mΩ @ VGS=4.5V
 - 40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-37A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 電源管理系統(tǒng)**
AUIRF5210S-VB 在電源管理系統(tǒng)中能夠有效地進(jìn)行電源開關(guān)操作。其高負(fù)漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為理想的選擇,用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中,能夠在高電壓和高電流條件下穩(wěn)定工作,保證電源系統(tǒng)的高效能和可靠性。

**2. 負(fù)載開關(guān)**
在各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,AUIRF5210S-VB 的負(fù)漏極電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效能和低功耗。例如,在負(fù)載開關(guān)模塊中,它能夠在高電壓條件下控制大電流負(fù)載,提高系統(tǒng)的開關(guān)效率和可靠性。

**3. 電動機(jī)驅(qū)動器**
在電動機(jī)驅(qū)動器中,如電動車控制器和工業(yè)電動機(jī)控制器,AUIRF5210S-VB 的高電流承受能力和穩(wěn)定性使其能夠在高負(fù)載條件下正常運(yùn)行。它的低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高電動機(jī)控制系統(tǒng)的整體性能。

**4. 逆變器**
AUIRF5210S-VB 也適用于高功率逆變器應(yīng)用,例如太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)。其高負(fù)漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高電壓和高電流條件下穩(wěn)定工作,提升逆變器的轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

這些應(yīng)用示例展示了AUIRF5210S-VB 在高電壓、高電流和高效率場合中的廣泛適用性,其卓越的性能使其能夠滿足各種復(fù)雜工程需求。

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