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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AUIRFR5305-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AUIRFR5305-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**AUIRFR5305-VB** 是一款高性能的單P通道MOSFET,封裝為TO252。其最大漏極源極電壓(VDS)為-60V,門源極電壓(VGS)范圍為±20V。門檻電壓(Vth)為-1.7V,表明在較低的門極電壓下即可實現(xiàn)導(dǎo)通。該MOSFET在VGS=4.5V時具有25mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V時導(dǎo)通電阻為20mΩ。其最大連續(xù)漏極電流(ID)為-50A,采用Trench技術(shù)制造,適用于要求高開關(guān)效率和低功耗的應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: AUIRFR5305-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單P通道
- **最大漏極源極電壓(VDS)**: -60V
- **最大門源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 25mΩ @ VGS=4.5V
 - 20mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**: -50A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源反向保護(hù)**: 由于其較低的門檻電壓和導(dǎo)通電阻,AUIRFR5305-VB適用于電源輸入端的反向保護(hù)電路,有效防止電源接錯時對電路的損害。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: 在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET能夠高效地控制電機(jī)的反向電流,特別是在需要高電流處理能力的電機(jī)控制系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。

3. **負(fù)載開關(guān)**: 適用于各種負(fù)載開關(guān)電路,能夠在負(fù)載開關(guān)操作中提供穩(wěn)定的電流控制,尤其是在需要承受高電流負(fù)載的情況下,表現(xiàn)出色。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器的高側(cè)開關(guān)中,AUIRFR5305-VB可以有效地減少開關(guān)損耗,提高整體轉(zhuǎn)換效率,適合用于高效能電源設(shè)計。

5. **逆變器**: 在逆變器設(shè)計中,該MOSFET的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,能夠有效處理逆變過程中產(chǎn)生的高電流信號。

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