### 產(chǎn)品簡介
AUIRFR8401TRR-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 N 溝道 MOSFET，具有高達 40V 的漏源電壓和 120A 的連續(xù)漏電流能力。該 MOSFET 使用 Trench 技術(shù)，具有極低的 RDS(ON) 值，適用于高電流和高效率開關(guān)應用。

### 參數(shù)說明
- **型號**：AUIRFR8401TRR-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：單極性 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**：40V
- **柵源電壓 (VGS)**：20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**：3V
- **RDS(ON)**：3mΩ (VGS = 4.5V)，1.6mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**：120A
- **技術(shù)**：Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AUIRFR8401TRR-VB 的高電流承載能力和極低的導通電阻使其非常適合用于高功率密度的應用。例如，在電動汽車的動力系統(tǒng)中，它能夠處理高電流，提升整體系統(tǒng)的效率；在服務器電源管理中，它可用于優(yōu)化電源的開關(guān)性能，降低功耗；在大型工業(yè)電源模塊中，它能夠提供可靠的高電流開關(guān)能力，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效運行。