### 一、產(chǎn)品簡介

**AUIRFU4615-VB**是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，采用TO251封裝，適用于多種功率管理和開關(guān)應用。其主要特點包括200V的漏源電壓（VDS）、±20V的柵源電壓（VGS）、3V的閾值電壓（Vth），以及在VGS為10V時只有56mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。此型號MOSFET采用先進的Trench技術(shù)，提供了更低的導通損耗和更高的效率。它可以承受高達25A的連續(xù)漏極電流（ID），非常適合高電流、高效率的應用場景。

### 二、詳細參數(shù)說明

1. **型號：** AUIRFU4615-VB
2. **封裝：** TO251
3. **配置：** 單N溝道
4. **漏源電壓（VDS）：** 200V
5. **柵源電壓（VGS）：** ±20V
6. **閾值電壓（Vth）：** 3V
7. **導通電阻（RDS(ON)）：** 56mΩ @ VGS=10V
8. **連續(xù)漏極電流（ID）：** 25A
9. **技術(shù)：** Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

**AUIRFU4615-VB** MOSFET在電動汽車、太陽能逆變器、工業(yè)電源和通信設(shè)備中有廣泛的應用。在電動汽車領(lǐng)域，這款MOSFET可以用于電機控制模塊，為電動機提供高效的電源管理和控制，提升電動車的整體性能和續(xù)航能力。在太陽能逆變器中，它可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，提高能量轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。在工業(yè)電源方面，它適合用于開關(guān)電源模塊，為各種工業(yè)設(shè)備提供穩(wěn)定高效的電源供應。在通信設(shè)備中，它可以用于功率放大器模塊，提升信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和效率。通過其高性能和可靠性，AUIRFU4615-VB MOSFET能在這些領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用，確保設(shè)備的高效運行和長久耐用。