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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRL1404ZSTRR-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AUIRL1404ZSTRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AUIRL1404ZSTRR-VB 是一款高效能單N溝道MOSFET,采用TO-263封裝。其基于先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有超低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,使其在高性能應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件能夠在最大40V的漏源極電壓和150A的漏極電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行,廣泛適用于高功率密度和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其優(yōu)異的電氣性能確保了在復(fù)雜電力系統(tǒng)中能夠提供卓越的轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

## 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AUIRL1404ZSTRR-VB
- **封裝**: TO-263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

AUIRL1404ZSTRR-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中展現(xiàn)了其廣泛的應(yīng)用潛力:

1. **電源管理**: 在高功率電源管理系統(tǒng)中,例如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,AUIRL1404ZSTRR-VB 的超低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想選擇。這些特性幫助提高電源效率,減少能量損耗,并確保高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**: 該器件在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中表現(xiàn)出色。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地處理電動(dòng)汽車(chē)中的高功率需求,同時(shí)提高整體系統(tǒng)的能效和可靠性。

3. **工業(yè)應(yīng)用**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,AUIRL1404ZSTRR-VB 主要用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制高功率負(fù)載。其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在苛刻的工業(yè)環(huán)境下保持穩(wěn)定性能,確保設(shè)備的高效運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子**: 該MOSFET 還可用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如高性能LED驅(qū)動(dòng)器和音頻放大器。其優(yōu)異的性能確保了在高功率應(yīng)用中設(shè)備能夠維持高效和穩(wěn)定的運(yùn)行。

這些應(yīng)用實(shí)例展示了AUIRL1404ZSTRR-VB MOSFET 在高功率和高效率應(yīng)用中的重要作用,使其成為眾多應(yīng)用中的可靠選擇。

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