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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRLR3114ZTRR-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AUIRLR3114ZTRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AUIRLR3114ZTRR-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO-252封裝。該MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。AUIRLR3114ZTRR-VB 具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,能夠在最大40V的漏源極電壓和120A的漏極電流下穩(wěn)定運(yùn)行。這些特性使其在各種要求高功率和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在電源管理和電動(dòng)汽車系統(tǒng)中。

## 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: AUIRLR3114ZTRR-VB
- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 1.6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

AUIRLR3114ZTRR-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域包括:

1. **電源管理**: 在高功率電源管理系統(tǒng)中,如開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,AUIRLR3114ZTRR-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠提高系統(tǒng)效率并降低能量損耗。這使得它非常適合用于需要高效率和高功率轉(zhuǎn)換的電源模塊中。

2. **電動(dòng)汽車**: 該MOSFET 在電動(dòng)汽車應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻幫助提高電動(dòng)汽車的性能和能效,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制領(lǐng)域,AUIRLR3114ZTRR-VB 用于驅(qū)動(dòng)高功率電機(jī)和控制大功率負(fù)載。其強(qiáng)大的電流處理能力和穩(wěn)定性在高負(fù)載條件下提供了可靠的控制,確保工業(yè)設(shè)備的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子**: 該MOSFET 也適用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高功率LED驅(qū)動(dòng)器和高性能音頻放大器。其優(yōu)良的電氣性能使得這些設(shè)備在高功率操作條件下能夠保持高效和穩(wěn)定的運(yùn)行。

通過這些應(yīng)用場(chǎng)景,可以看出AUIRLR3114ZTRR-VB MOSFET 在高功率和高效率要求的應(yīng)用中具有廣泛的適用性,是眾多高要求系統(tǒng)中的理想選擇。

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