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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRLU3114Z-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AUIRLU3114Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 產(chǎn)品簡介

AUIRLU3114Z-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO-251封裝,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),能夠在最大40V的漏源極電壓和120A的漏極電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在要求高功率和高效能的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)優(yōu)異,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)汽車和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

## 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: AUIRLU3114Z-VB
- **封裝**: TO-251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

AUIRLU3114Z-VB MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異:

1. **電源管理**: 在高功率電源管理系統(tǒng)中,如開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,AUIRLU3114Z-VB 的極低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想選擇。這些特性幫助提高系統(tǒng)效率,減少能量損耗,并確保在高功率需求的條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電動(dòng)汽車**: 該MOSFET 在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中表現(xiàn)出色。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻可以有效處理電動(dòng)汽車中的高功率需求,提升整車性能和能效,同時(shí)確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制應(yīng)用中,AUIRLU3114Z-VB 主要用于驅(qū)動(dòng)高功率電機(jī)和控制大功率負(fù)載。其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保在苛刻的工業(yè)環(huán)境下提供穩(wěn)定的控制和可靠的操作,滿足工業(yè)設(shè)備的高效運(yùn)行需求。

4. **消費(fèi)電子**: 該器件也適用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高功率LED驅(qū)動(dòng)器和高性能音頻放大器。其卓越的電氣性能確保這些設(shè)備在高功率操作條件下能夠維持高效穩(wěn)定的運(yùn)行。

這些應(yīng)用實(shí)例展示了AUIRLU3114Z-VB MOSFET 在高功率和高效率應(yīng)用中的廣泛適用性,使其成為多個(gè)高要求領(lǐng)域的理想選擇。

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