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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B266L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B266L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**B266L-VB** 是一款單極N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O263。采用Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和超高電流承載能力。此MOSFET專為高功率和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠在高電流和中等電壓條件下提供卓越的性能,適合用于要求高開(kāi)關(guān)速度和低功耗的電力電子系統(tǒng)。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:B266L-VB
- **封裝**:TO263
- **配置**:?jiǎn)螛ON溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 3.2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:210A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

**B266L-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異:

1. **高效開(kāi)關(guān)電源**:其超低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源中,能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率并減少能量損失。
2. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,此MOSFET 能夠處理大電流負(fù)載,同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻,確保高效穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,能夠在高電流負(fù)載下穩(wěn)定工作,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率和性能。
4. **LED驅(qū)動(dòng)**:在高功率LED驅(qū)動(dòng)電路中,B266L-VB 提供穩(wěn)定的電流輸出,有助于提升LED的亮度和效率。
5. **汽車電子**:適合用于汽車電子系統(tǒng)中的高功率開(kāi)關(guān)和電源管理模塊,能夠在高電流條件下提供穩(wěn)定的性能,增強(qiáng)汽車系統(tǒng)的可靠性。

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