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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B434-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): B434-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):B434-VB**

B434-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,適用于各種電源管理和切換應(yīng)用。該器件利用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠在低電壓下提供高效的開關(guān)性能。B434-VB能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),在提供高效能的同時(shí),保證了操作的安全性和穩(wěn)定性。其門檻電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵極電壓下可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為8mΩ,在10V柵極電壓下為6mΩ,能夠提供高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流(ID)。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號(hào)**: B434-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 8mΩ
 - @VGS = 10V: 6mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理模塊**:B434-VB的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想的電源管理解決方案,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。在這些應(yīng)用中,該MOSFET能夠有效地降低功耗,提高系統(tǒng)效率,滿足高性能和緊湊設(shè)計(jì)的需求。

**電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,B434-VB的低RDS(ON)和高電流處理能力可以實(shí)現(xiàn)高效的電流傳輸和快速開關(guān)操作。這對(duì)于電動(dòng)車輛、機(jī)器人和工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊尤為重要,能夠提供穩(wěn)定和高效的電機(jī)控制。

**LED驅(qū)動(dòng)器**:B434-VB適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在需要高效恒流控制的應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻特性使其能夠減少能量損耗,確保LED燈具在各種條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。

**太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,B434-VB可以用作逆變器的開關(guān)元件。其高效率和高可靠性特性使其能夠在轉(zhuǎn)換過程中減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)的能效。

**充電設(shè)備**:B434-VB還廣泛應(yīng)用于各種充電器和適配器中,特別是那些需要高效和可靠電流控制的場(chǎng)合。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了快速、安全的充電過程。

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