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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO315C-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSO315C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSO315C-VB 是一款高性能雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設(shè)計(jì)用于中低電壓應(yīng)用。該MOSFET 使用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于各種高效能電子系統(tǒng),包括電源管理、負(fù)載開關(guān)以及其他需要高效開關(guān)的應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 數(shù)值                 |
|-----------------|----------------------|
| **封裝類型**     | SOP8                 |
| **配置**         | 雙N+P溝道             |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | ±30V                 |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V                 |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.6V (N溝道) / -1.7V (P溝道) |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 24mΩ / 50mΩ @ VGS=4.5V  |
|                         | 18mΩ / 40mΩ @ VGS=10V |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**     | ±8A                  |
| **技術(shù)**         | Trench               |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  BSO315C-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,雙N+P溝道配置和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié)應(yīng)用。其高效能和可靠性確保了電源管理系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

2. **負(fù)載開關(guān)**
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,BSO315C-VB 的雙N+P溝道設(shè)計(jì)提供了高效的開關(guān)能力,能夠在較低電壓下處理負(fù)載。適用于各種便攜式電子設(shè)備和電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)功能。

3. **電動(dòng)汽車**
  對(duì)于電動(dòng)汽車的電池管理和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),BSO315C-VB 提供了雙N+P溝道配置和低導(dǎo)通電阻,有助于提高系統(tǒng)的效率和可靠性,在電池管理和負(fù)載控制中發(fā)揮重要作用。

4. **工業(yè)電機(jī)控制**
  在工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,BSO315C-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,使其能夠處理電機(jī)的高電流負(fù)荷,確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

BSO315C-VB 以其雙N+P溝道設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻和高效能,適用于各種需要高效開關(guān)和可靠功率管理的中低電壓應(yīng)用領(lǐng)域。

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