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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSP220-VB一款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSP220-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSP220-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BSP220-VB 是一款高耐壓單P通道MOSFET,封裝在SOT223外殼中。這款MOSFET 設(shè)計用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用場合,提供了優(yōu)良的耐壓能力和可靠性。其最大漏極-源極電壓(VDS)為-200V,柵極-源極電壓(VGS)容差為±20V,適合用于高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSP220-VB 的閾值電壓(Vth)為-3V,確保在柵極電壓達到一定負值時能夠可靠啟動。其導通電阻(RDS(ON))在VGS = 4.5V時為900mΩ,在VGS = 10V時為1000mΩ,提供了足夠的功率傳輸能力。該MOSFET 的連續(xù)漏極電流(ID)為-2A,適合處理中等電流負荷。BSP220-VB 采用先進的溝槽技術(shù),優(yōu)化了其開關(guān)性能和耐壓特性。

### BSP220-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型:** SOT223
- **配置:** 單P通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** -200V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** -3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 900mΩ
 - VGS = 10V 時為 1000mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** -2A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### BSP220-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

BSP220-VB MOSFET 的高耐壓能力和中等導通電阻使其在多個領(lǐng)域中具有出色的應(yīng)用表現(xiàn)。例如,在高電壓電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以用作高壓開關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊,處理高電壓負荷并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在工業(yè)控制系統(tǒng)中,BSP220-VB 可以用作高電壓保護電路和開關(guān),提供可靠的開關(guān)功能并提升設(shè)備的安全性。在汽車電子領(lǐng)域,它適用于高電壓電池管理系統(tǒng)和電機控制系統(tǒng),因其高耐壓特性能夠應(yīng)對汽車電氣系統(tǒng)中的各種挑戰(zhàn)。此外,該MOSFET 也適合用于高電壓電源適配器和充電器等應(yīng)用,提高整體性能和可靠性。

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